三维集成封装中的TSV互连工艺研究进展

摘要：

为顺应摩尔定律的增长趋势,芯片技术已来到超越“摩尔定律”的三维集成时代.电子系统进一步小型化和性能提高,越来越需要使用三维集成方案,在此需求推动下,穿透硅通孔(TSV)互连技术应运而生,成为三维集成和晶圆级封装的关键技术之一.TSV集成与传统组装方式相比较,具有独特的优势,如减少互连长度、提高电性能并为异质集成提供了更宽的选择范围.三维集成技术可使诸如RF器件、存储器、逻辑器件和MEMS等难以兼容的多个系列元器件集成到一个系统里面.文章结合近两年的国外文献,总结了用于三维集成封装的TSV的互连技术和工艺,探讨了其未来发展方向.

关键词：互连、三维集成、硅通孔

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2012-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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