BST薄膜对GaN衬底的传输特性影响

摘要：

钛酸锶钡（BST）薄膜是一种重要的铁电薄膜，应用广泛，是高新技术研究的前沿和热点之一。文章重点讨论了不同结构的BST薄膜对GaN传输线的传输特性影响，分析了不同的BST薄膜材料参数对传输性能的影响。实验证明，未电镀的传输线空洞较多，直流电阻变大，生长了BST薄膜的传输线插损约为0．32dB／mm，不同的薄膜材料参数对传输特性的影响也很明显，随着介电常数、膜厚以及损耗角的增大，传输线有效介电常数变大，特性阻抗减小。为基于磁电效应的GaNS27率放大器设计提供了一定的借鉴。

关键词：钛酸锶钡、氮化镓、传输特性

所属期刊栏目：12

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34