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10.3969/j.issn.1681-1070.2012.05.002

电子封装用低膨胀高导热SiCp/A1复合材料研究进展

引用
随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP/Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注。作为电子封装材料,SiCP/Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

电子封装、SiCp、Al复合材料、制备方法、应用

12

TB333(工程材料学)

2012-08-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

5-10

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电子与封装

1681-1070

32-1709/TN

12

2012,12(5)

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