10.3969/j.issn.1681-1070.2012.03.011
NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A、VHDL-A。这使得仿真速度和收敛性得到提高。同时比较了三种先进的BJT模型:VBIC、Mextram、HICUM。模型参数可以通过模型参数提取软件(BSIMProPlus、ICCAP等)提取。
NMOS、snapback、ESD、模型、HICUM、Mextram、VBIC
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TN303(半导体技术)
2012-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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