WSI Polycide工艺的研究

摘要：

文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过实验优化,以大量的数据为依据,对影响WSI薄膜特性的工艺参数进行调试和论证,主要考察更改各条件对圆片翘曲度及应力的变化,并通过显微镜镜检圆片表面,获得了0.5μm Polycide工艺较优的工艺条件。实验结果表明,在WSI淀积后增加Cap Layer层工艺对Polycide工艺工期WSI剥落、色斑等异常有较好的改善作用,且圆片表面形貌能达到MOS器件的工艺制造要求。

关键词：WSI、Cap、Layer层、优化、Polycide、应力

所属期刊栏目：12

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2012-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-32