抗辐射数字电路加固技术研究

摘要：

文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法：通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。

关键词：抗辐射、SOI、总剂量

所属期刊栏目：12

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2012-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-39,48