应变硅技术在纳米CMOS中的应用

摘要：

应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点，且与传统的体硅工艺相兼容，在CMOS工艺中得到广泛地应用，尤其是MOS件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理，并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在CMOS器件中的应用。同时，将多种应变硅技术整合在一起提升MOS器件的性能是未来发展的趋势。

关键词：应变硅、CMOS、全局应变、局部应变

所属期刊栏目：12

分类号：TP702(遥感技术)

在线出版日期：2012-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：31-36