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10.3969/j.issn.1681-1070.2012.01.009

天线效应对LPNP管输出曲线的影响

引用
天线结构是监控半导体工艺过程中等离子体损伤的一种典型结构,一般主要用来监控MOS器件栅氧的损伤。文中,该结构用来监控横向PNP(LPNP)管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现,带天线结构的LPNP管的输出曲线容易出现翘曲现象,分析认为该异常不是由于发射极结损伤造成的,因为发射极结工艺过程中并没有受到损伤。同时发现该翘曲现象在LPNP管保护环接低电位时会消失,该低电位在很大范围内变化时,输出曲线基本一致,且输出曲线电流较保护环悬空时的电流整体偏大,在集电极电压较大时,输出电流和保护环悬空时的电流一致。

天线结构、输出曲线、翘曲、发射极结、保护环

12

TN305(半导体技术)

2012-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

25-27,48

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1681-1070

32-1709/TN

12

2012,12(1)

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