长波InAsSb材料的结构特性研究

摘要：

用熔体外延（ME）法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层，用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品的横截面，并测量出外延层的厚度达到100μm，用X-射线衍射（XRD）谱研究了InAsSb外延层的结构性质。测量结果表明，InAs／InAs0．023Sbo1977单晶具有相当完美的晶体取向结构及良好的结晶质量，这可能得益于100ktm的外延层厚度基本消除了外延层与衬底之间晶格失配的影响。电子探针微分析（EPMA）测量的元素分布图像显示，Sb（锑）元素在外延层中的分布相当均匀。

关键词：InAsSb、熔体外延、结构性质、组分分布

所属期刊栏目：12

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2012-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-16,24