直流磁控溅射法制备YBCO超导薄膜研究

摘要：

文中采用直流磁控溅射法制备了YBCO超导薄膜，研究了镀膜过程中不同的气体总压、氧氩比、薄膜厚度以及退火温度对薄膜性质的影响，通过XRD分析，当总气压为40Pa、氧氩比为1：2、厚度为1μm、退火温度为800℃时，是薄膜生长的最佳条件。总气压过低，镀膜过程不能进行，气压过高，分子间自由程增加，溅射速率降低；氧氩比较低时，氧离子较少，造成靶材缺氧，镀膜过程不能进行，氧氩比较高时，辉光明亮，对靶材造成损害；随着薄膜厚度的增加，薄膜的005峰半高宽由大逐渐减小，薄膜厚度为1μm时，半高宽最小。退火温度在780℃～800℃之间时，YBCO薄膜005峰的半高宽较小。

关键词：直流磁控溅射、YBCO超导薄膜、XRD

所属期刊栏目：11

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37