抗辐照SOI256kB只读存储器的ESD设计

摘要：

ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点，阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合，进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0．8μm单多晶三层铝部分耗尽SOI／CMOS工艺技术研制成功，采用文中提出的SOI电路的ESD设计思路、方法以及网络，ESD试验结果显示该电路的人体模型ESD等级已经超过了4kV的水平。

关键词：静电放电、SOI、栅控二极管、只读存储器

所属期刊栏目：11

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：27-31