RF LDMOS器件仿真与单元设计

摘要：

RFLDMOS器件在GSM／CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛，RFLDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其，RFLDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RFLDMOS器件进行仿真研究是当今半导体领域研制产品常用的方法。这样不但可以节约大量的人力物力财力，更为重要的是可以节约产品的开发时间，加快产品的推出和更新换代。文中采用Silvaco软件对RF LDMOS进行仿真，该器件采用0-35μm标准CMOS工艺，二层多晶场板结构，漂移区长度4．5μm，通过优化工艺条件及器件结构，实现了100V的击穿电压，射频功率密度可达1．4W／mm。

关键词：仿真、RF、LDMOS、二层多晶场板

所属期刊栏目：11

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-22