基于自适应高阶补偿CMOS带隙基准源的设计

摘要：

文章利用线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,引入了一种结构新颖简单、适应不同开口方向的电压基准高阶补偿方法.基于该补偿方法,设计了一款高精度的电压基准电路,根据温度补偿原理合理确定各器件参数,包括电压电流大小、电阻等参数；在这基础上用Cadence Sepctre进行仿真（本设计采用CSMC 0.35 μ m、3.3V CMOS工艺）.仿真结果表明,经高阶补偿的电压模基准,在-40°C～125°C温区范围内温度系数仅为0.98×10-6/°C,低频下PSRR为-60.82dB.通过仿真验证该电路能降低并实现较为稳定的温度系数.整个带隙基准电压源具有良好的综合性能,能应用于DRAM存储器、Flash存储器、模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)等集成电路中.

关键词：CMOS带隙基准源、低压、曲率补偿、温度系数

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17