共漏极双功率MOSFET封装研究

摘要：

针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望.从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%.同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能.

关键词：共漏极双功率MOSFET、导通电阻、封装效率、微互连、封装散热结构

所属期刊栏目：11

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2011-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-10,22