10.3969/j.issn.1681-1070.2011.02.008
TF SOI NLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接寿命模型及模拟
为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响而建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型,然后采用基于MATLAB平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟.
TF SOI nLIGBT、漂移区表面、堆积状态、间接寿命、模型及模拟
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TN386.2(半导体技术)
国家自然科学基金资助60306003;浙江省自然科学基金资助y104599
2011-06-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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