一种高速MaskROM的设计研究

摘要：

文章分析讨论了掩模只读存储器的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个高速的576k位MaskROM的设计与实现.针对字线负载大、速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使MaskROM的读取时间有较大提高.该款MaskROM采用0.5μm CMOS工艺,电源电压5V,读取时间约为12ns,单位功耗约为1.06 mW/MHz.

关键词：掩模只读存储器、CMOS、译码、字线、速度

所属期刊栏目：11

分类号：TN706(基本电子电路)

在线出版日期：2011-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-14,47