三极管器件结构研究
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10.3969/j.issn.1681-1070.2010.12.010

三极管器件结构研究

引用
文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣.认为单基极接触结构比双基极接触结构具有更优的电流能力;集电极电流和发射极面积AE并不是按照比例线性增大,尤其在大注入时,集电极电流增大明显低于AE的增大;相同面积的马蹄形结构发射区放置在周围具有更大的AE和电流能力;这些结构在寄生电阻表现上各有优劣.讨论了基极和集电极接触方式差异对三极管电流性能的影响,对电路版图设计提出建议.讨论了EB隔离方式对三极管放大倍数HFE的影响,指出多晶隔离EB结构具有更大的HFE,尤其在小注入时表现显著.通过对这些结构的分析,还提出电流能力更优的梳状结构的版图布局.

三极管、结构、电流能力、发射极面积(AE)、HFE

10

TN305(半导体技术)

2011-04-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

36-40

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1681-1070

32-1709/TN

10

2010,10(12)

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