关于VDMOS栅源漏电问题的研究

摘要：

文章从VDMOS器件结构及工作原理入手,对VDMOS芯片生产的工艺控制难题--栅源漏电问题作了较全面的分析,描述了栅源漏电对器件的影响、常用的测试方法及问题发生的机理.以详实的理论依据和实际生产中的实验数据,归纳了影响VDMOS栅源漏电的因素及对应的工艺控制要点,总结了解决这一问题的思路及方法,供VDMOS技术工作者或其他各方面对VDMOS有一定了解的半导体技术工作者参考.

关键词：VDMOS、Igss、GS漏电、GS短路

所属期刊栏目：10

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2011-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：27-31