10.3969/j.issn.1681-1070.2010.12.002
凸台式PIN二极管失效分析和键合工艺改进
PIN二极管在封装、试验过程中分别出现大量的失效,分析发现,这种PIN二极管考虑到频率和寄生电容的要求,采用一种"凸台"式结构,即结区和阳极在一个突出的凸台上,凸台直径仅有28 μ m.这种凸台边缘只要受到一个较小的机械应力的作用,就会造成凸台崩损、结被破坏,导致结漏电或在小电压下击穿.因此凸台对键合时产生的机械应力很敏感,普通的芯片键合技术也会对凸台造成机械损伤,严重影响器件良品率和长期可靠性.通过对劈刀的改进和重新选择键合丝以及精心调试的键合参数,有效防止了键合对二极管造成的损伤,提高了二极管的成品率和可靠性.
PIN二极管、失效分析、键合
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TN305.94(半导体技术)
2011-04-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
5-7,11