基于金属陶瓷贴片封装的数控衰减器设计

摘要：

衰减器作为幅度调制器件被广泛用于电子战、雷达、测试设备、通信等各种微波领域.随着信息革命的深入发展,通信、雷达、测试设备等各种微波领域的电子设备趋向于小型化、低成本,对元器件的体积、功耗、可靠性、使用方便性的要求越来越高.文章介绍了一款采用GaAsPHEMT工艺和金属陶瓷贴片封装制作的L波段高精度单片六位数控衰减器的设计方法和研制结果.测试结果表明在频率为DC～2GHz内,衰减步进0.5dB,衰减范围0～31.5dB,插入损耗IL＜2.5dB,输入输出驻波比VSWR＜1.4,衰减精度|△Ai|＜(0.2+3%Ai)dB.附加相移|△φ|＜3°,控制方式为TTL电平.

关键词：数控衰减器、PHEMT、衰减精度

所属期刊栏目：10

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2011-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,19