Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究

摘要：

文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃.Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1.

关键词：Ni(W)Si、肖特基势垒二极管、XRD、Raman光谱、快速热退火

所属期刊栏目：10

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2011-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27