先进相移掩模(PSM)工艺技术

摘要：

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18 μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形.通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率.相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求.

关键词：相移掩模、电子束曝光、相位角分析、缺陷检测

所属期刊栏目：10

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2010-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：41-45