0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化

摘要：

文章基于Precision 5000等离子刻蚀技术,运用正交优化实验法,控制由LPCVD制备的Si3N4膜层对SiO2的选择比,对0.5μm有源区腐蚀工艺进行优化.运用minitab软件获得选择此的主效应图、效应的Pareto图、正态概率图,并讨论O2、Ar,CHF3气体对选择比的影响,最终获得各气体成分的最佳配比.实验结果表明有源区腐蚀中通过提高过腐蚀中Si3N4对SiO2的选择比来减少SiO2的损失,可以成功地将SiO2的损失控制在合理范围内,且腐蚀后平面、剖面形貌等各种参数符合产品要求.

关键词：选择比、有源区腐蚀、正交优化实验法

所属期刊栏目：10

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2010-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-40,48