0.8μm多晶栅等离子刻蚀研究

摘要：

文章基于Mintab软件,运用Precision 5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响.获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件.运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求.

关键词：多晶刻蚀、倾斜角度、最优化条件、等离子

所属期刊栏目：10

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40