辐射效应对半导体器件的影响及加固技术

摘要：

与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类.随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化.这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面.对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构,工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案.

关键词：微电子器件、辐射效应、抗辐射加固、MOS器件等比例缩小

所属期刊栏目：10

分类号：TN492(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：31-36