10.3969/j.issn.1681-1070.2010.08.001
半导体封装行业中铜线键合工艺的应用
文章介绍了半导体封装行业中铜线键合工艺下,各材料及工艺参数(如框架、劈刀、设备参数、芯片铝层与铜材的匹配选择)对键合质量的影响,并总结提出如何更好地使用铜线这一新材料的规范要求.应用表明芯片铝层厚度应选择在0.025mm以上;劈刀应使用表面较粗糙的;铜线在键合工艺中使用体积比为95:5的氢、氮气混合保护气体;引线框架镀银层厚度应控制在0.03 mm~0.06mm.
铜线、引线键合、键合质量、工艺管控
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TN305.94(半导体技术)
2010-10-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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