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10.3969/j.issn.1681-1070.2010.08.001

半导体封装行业中铜线键合工艺的应用

引用
文章介绍了半导体封装行业中铜线键合工艺下,各材料及工艺参数(如框架、劈刀、设备参数、芯片铝层与铜材的匹配选择)对键合质量的影响,并总结提出如何更好地使用铜线这一新材料的规范要求.应用表明芯片铝层厚度应选择在0.025mm以上;劈刀应使用表面较粗糙的;铜线在键合工艺中使用体积比为95:5的氢、氮气混合保护气体;引线框架镀银层厚度应控制在0.03 mm~0.06mm.

铜线、引线键合、键合质量、工艺管控

10

TN305.94(半导体技术)

2010-10-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1-4,13

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电子与封装

1681-1070

32-1709/TN

10

2010,10(8)

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