高速BiCMOS外延工艺研究

摘要：

外延工艺作为BiCMOS的关键工艺,影响着双极和CMOS器件的多项性能参数.文章对高速BiCMOS器件进行外延工艺研究,设计出了合理的外延层参数,并针对该参数进行了外延工艺的研发.高频器件需要超薄的外延层,控制较窄的过渡区是其关键,文章研究了几个主要外延工艺参数对过渡区的影响,并提出了一种通过减压、低温、本征外延得到窄过渡区的工艺方法.试制结果表明自掺杂效应得到明显抑制,1.5μm外延层下过渡区宽度小于0.25μm,外延层质量良好,测试结果表明该工艺能够满足高速BiCMOS器件的需要.

关键词：薄层外延、BiCMOS、高频、过渡区、自掺杂、本征外延法

所属期刊栏目：10

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：29-34