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10.3969/j.issn.1681-1070.2010.06.007

Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究

引用
文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题.以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50 Ω.最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz~12.2GHz频带内,输出功率大于20W.在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道.

GaN、功率管、内匹配

10

TN702(基本电子电路)

2010-08-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

23-25,38

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1681-1070

32-1709/TN

10

2010,10(6)

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