EEPROM单元辐射机理研究

摘要：

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多.为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SONOS单元.同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小.文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础.

关键词：EEPROM、辐射机理、SONOS、FLOTOX

所属期刊栏目：10

分类号：TN702(基本电子电路)

在线出版日期：2010-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-22