射频晶体管3DG2714基极电阻Rbb,的分析与研究

摘要：

射频晶体管具有高的特征频率fT,高的功率增益Gp.为此在工程上多采用浓硼扩散形成嫁接基区.尽可能减少基极电阻Rbb,,同时采用梳状结构电极,浅结扩散,小的结面积等工艺,提高fT,从而双方面提高功率增益Gp.文章以该公司生产的射频晶体管3DG2714为例,分析了发射结下基区部分电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb1,分析了发射极与基极之间淡硼扩散区的电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb2,忽略了两个影响极小的电阻,计算了总的基极电阻Rbb,.为减小基极电阻提高功率增益的射频晶体管设计制造提供了依据.

关键词：射频、射频晶体管、基区、基极电阻

所属期刊栏目：10

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：28-30