双极器件EB结击穿测试对HFE的影响

摘要：

三极管测试发现,发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE.理论表明,HFE和注入效率γ,基区输运系数αT,复合系数δ相关.文章模拟EB结击穿应力,同时设计三种测试方法,测试应力前后三极管HFE、IC、IB等参数的变化,认为HFE降低是由于IB的增大造成.同时根据上面三个系数对应的物理区域分析认为,电流应力造成了缺陷,缺陷引起的EB结复合电流和基区传输复合电流的增大是IB增大的因为,但EB结复合电流是主要的,是HFE降低的因为.最后指出流片工艺过程中的损伤也会造成类似HFE降低的问题.

关键词：电流应力、缺陷、HFE、复合电流

所属期刊栏目：10

分类号：TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：28-31