缺陷浓度对非晶硅薄膜太阳电池性能的影响

摘要：

利用一维微光电子结构分析工具AMPS-lD(Analysis of Microelectronic and Photonic Struc-tures-lD)研究了一种PIN结构的非晶硅基薄膜太阳电池的电流-电压特性.通过系统分析不同缺陷浓度对太阳电池光电特性的影响,探索了在不致严重影响器件性能情况下可容许的最高缺陷浓度.模拟结果表明,若半导体膜足够薄,在带边附近有很高的吸收系数,且具有满足一定条件的迁移率,则可使用含有相当高缺陷浓度(1016 ～1017 cm -3 数量级)的非晶硅基薄膜制造出性能良好的太阳电池.

关键词：非晶硅、缺陷、太阳电池、PIN、光电特性

所属期刊栏目：9

分类号：TM914.4

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金教外司留[2008]890;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET46-4884

在线出版日期：2010-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：37-40