10.3969/j.issn.1681-1070.2009.12.003
0.13 μm GGNMOS管的ESD特性研究
当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的.NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性.文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件.文章基于0.13μ m硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响.通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性.
静电泄放(ESD)、栅极接地NMOS(GGNMOS)、骤回特性
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TN305.94(半导体技术)
2010-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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