10.3969/j.issn.1681-1070.2009.11.002
功率电子模块及其封装技术
功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异.同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择,制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战.文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块(GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM)的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述.
功率电子模块、封装结构、封装技术
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TN453(微电子学、集成电路(IC))
2010-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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