一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法

摘要：

文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM).在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期.最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的.

关键词：静态随机存储器、深亚微米、6T单元、静态噪声容限、仿真

所属期刊栏目：9

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金项目编号:60876054.湖南省自然科学基金项目08JJ3122

在线出版日期：2009-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：22-25