硅外延双层结构的厚度测量

摘要：

硅外延是一种性能优良的半导体材料,在IGBT、大功率器件等领域中有着广泛的应用.FTIR(Fourier-Transform Infrared Spectrophotometry)技术是目前普遍采用的测量硅外延层厚度的先进方法,具有准确、快速、稳定、无损伤等其他方法无可比拟的优势.FTIR方法对于常规的低掺杂双层外延结构,只能测出两层外延的总厚度,而不能测出两个外延层分别的厚度.文章通过试验数据,证明了FTIR测试方法能够同时测量双层外延层结构的硅外延片的两层厚度,并提出了对中间层外延的电阻率的要求,同时对ASTM-F95标准中提出的FTIR法测量硅外延层厚度时对外延层和衬底层电阻率的要求,提出了新的范围.

关键词：FTIR、硅外延片、中间层、电阻率、厚度

所属期刊栏目：9

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2009-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：5-7