提高多晶电阻工艺稳定性

摘要：

文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论.同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控.最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性.

关键词：多晶电阻、离子注入、多晶淀积、方块电阻和均匀性

所属期刊栏目：09

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：38-42