SONOS非易失性存储器件研究进展

摘要：

随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求.最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力,易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视.文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存‘储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论.

关键词：存储、硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅、氮化硅、非易失性、势阱、纳米晶

所属期刊栏目：09

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：24-30