单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

摘要：

介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺.借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅.AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm.通过实验,我们还得出第一层Pt金属膜的厚度和退火后的下沉深度比大概为1:2.制作的增强型/耗尽型PHEMT的闽值电压(定义于1mA/mm)、最大跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率分别是+0.185/-1.22V、381.2/317.5mS/mm、275/480mA/mm、38/34GHz.增强型器件在4英寸圆片上的阈值电压标准差为19mV.

关键词：单片集成、增强型、阈值电压

所属期刊栏目：9

分类号：TN705(基本电子电路)

在线出版日期：2009-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-32