10.3969/j.issn.1681-1070.2009.06.003
多电源混合电压SoC的全芯片ESD设计实例
SoC是含有微处理器、外围电路等的超大规模集成电路,具有器件特征尺寸小、复杂度高、面积大、数模混合等特点,SoC的ESD设计成为设计师面临的一个新的设计挑战.文章详细介绍了一个复杂的多电源、混合电压专用SoC芯片的全芯片ESD设计方案,并结合电路特点仔细分析了SoC芯片ESD设计的难点,提出了先工艺、再器件,再电路三个层次的分析思路,并将芯片ESD总体解决方案中的关键设计重点进行了逐一分析,最后给出了全芯片ESD防护架构的示意图.该SoC芯片基于0.35μm 2P4M Polycide混合信号CMOS工艺流片,采用文中提出的全芯片EsD防护架构,使该芯片的HBM ESD等级达到了4kV.
静电放电、全芯片ESD设计、SoC
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TP702(遥感技术)
2009-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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