E2PROM工艺的ESD保护电路失效分析

摘要：

ESD保护电路已经成为集成电路不可或缺的组成部分,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、微红外发光显示设备EMMI等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及机理.文章通过对一组击穿失效的E2PROM工艺的ESD保护电路实际案例的分析和研究,介绍了几种分析工具,并且在ESD失效机制的基础上,提出了改进ESD保护电路的设计途径.

关键词：静电放电、失效分析、保护元件、过电应力

所属期刊栏目：8

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：17-19