重掺砷衬底外延工艺研究

摘要：

在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点.外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制.在确保外延层晶格结构完整,表面质量完美的前提下,适当增加外延生长速率,降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响.结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化,可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量.

关键词：外延、固态外扩散、自掺杂、多晶硅背封、二步外延

所属期刊栏目：8

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：7-9