10.3969/j.issn.1681-1070.2008.11.009
利用OPC方法提高NAND FLASH CELL WL均匀性
随着集成电路制造工艺的飞速发展,图形最小线宽(CD)越来越小.为了提高分辨率,在设备方面,光刻机一方面不断减小光源的波长,另一方面尽可能地增大透镜孔径的大小.但是这会极大的增加成本,而且同时也无法解决随着最小线宽的逐渐缩小,实际曝光时,由于光的衍射,投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真的问题.所以在六、七年前0.1 8μm技术节点时,OPC(Optical Proximity Correction)技术就被广泛应用到掩模版的制作,以得到在相同光刻条件下更高的分辨率和更逼真的图形.文章主要介绍在传统的OPC技术下如何结合其他新的OPC技术提高NAND FLASH CELL WL的均匀性.
光刻、OPC、分辨率、NANDFLASHCELL、均匀性
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TN305.7(半导体技术)
2009-02-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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