CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究

摘要：

CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出.闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效.文章首先分析了CMOS电路结构中效应的产生机理及其触发方式,得到了避免闩锁效应的条件.然后通过对这些条件进行分析,从版图设计和工艺等方面考虑如何抑制闩锁效应.最后介绍了几种抑制闩锁效应的关键技术方案.

关键词：闩锁效应、CMOS电路、版图设计

所属期刊栏目：8

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：成都信息工程学院发展基金资助KYTZ200713

在线出版日期：2009-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23