影响PSM工艺产品良率因素的研究

摘要：

文章围绕实际工作中遇到的0.13 μm Logic产品的良率问题展开.主要通过分析比较相位移掩膜工艺和传统铬膜工艺的优缺点,找出可能导致产品良率低的主要因素.最后集中分析光阻膜厚与关键尺寸大小的关系图.当关键尺寸小到0.13 μm以下时,前层图形的影响对光阻膜厚的选择至关重要,进而对良率也有相应的影响.通过针对光阻膜厚的选择建立理论模型,并设计相关实验进行验证,最后得到结论.在研究过程中会用到一些与光刻相关的先进机器设备和软件.硬件方面包括光阻涂布和显影机、扫描式曝光机、关键尺寸量测机、显影后检查硅片表面宏观缺陷的机器、检查硅片表面微观缺陷的机器等等,软件方面包括设计尺寸的检查软件、光学邻近效应修正软件等.

关键词：良率、相位移掩膜、光阻、显影、扫描式曝光、光学邻近效应

所属期刊栏目：8

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2008-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：31-36,45