10.3969/j.issn.1681-1070.2008.10.005
用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准源设计
在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上,提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路.该电路采用无运放的带隙结构,避免了运放失调电压对基准源的影响.基于LITEON 1 μm HV BiCMOS工艺,Hspice仿真结果表明,该基准源产生1.238V的基准电压,电源抑制比高达60dB,在-40℃~140℃温度范围内,基准电压仅变化3.9mV,温度系数为16.6×10-6/℃,完全满足AC/DC变换器对其性能的要求.
带隙基准、AC/DC、温度系数、启动电路
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2008-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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