亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究

摘要：

文章以0.6 μm N外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究.实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强.此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级.

关键词：ESD保护、纵向NPN、亚微米BiCMOS

所属期刊栏目：8

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏省自然科学基金BK2007026

在线出版日期：2008-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：39-43