微波GaAs功率芯片的低空洞率真空焊接技术研究

摘要：

文章选用80Au20Sn焊料对微波GaAs功率芯片的焊接技术进行了较为系统深入的研究,通过对共晶焊接设备与真空烧结设备分别对焊接时气体保护、焊片大小、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析.结果表明,以上参数对微波GaAs功率芯片焊接均有显著的影响,在保护气体流量为1.5L·min-1的氮气保护下,通过施加适当的夹具静压力和金锡焊料熔化时的抽真空应用,AuSn焊料能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量.X射线检测结果表明,微波GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90%以上,焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高.

关键词：功率芯片、共晶焊接、空洞率、真空

所属期刊栏目：8

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20