NMOS器件ESD特性模拟

摘要：

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力.文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析.模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响.最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的.

关键词：峰值场强、触发电压VB、维持电压VH、晶格温度、二次击穿电流

所属期刊栏目：8

分类号：TN70(基本电子电路)

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21