深槽TVS研究

摘要：

以静电放电(ESD)以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压,通常存在于各种电子器件中.随着半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能,电子器件越来越容易受到电压浪涌的影响,甚至导致致命的伤害.从静电放电到闪电等各种电压浪涌都能诱导瞬态电流尖峰,瞬态电压抑制器(TVS)通常用来保护敏感电路受到浪涌的冲击.基于不同的应用,瞬态电压抑制器可以通过改变浪涌放电通路和自身的箝位电压来起到电路保护作用.为了节省芯片面积,并且获得更高的抗浪涌能力,深槽TVS的概念已经被提出和研究.深槽TVS的结面形成于纵向的深槽的侧壁,这样,在相同的芯片面积下,它有更多的有效结面积,即更强的放电能力.我们也可以预见,深槽TVS的小封装尺寸对应用于保护高端IC非常关键.

关键词：静电放电(ESD)、瞬态电压抑制器(TVS)、深槽TVS

所属期刊栏目：8

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金NSFC60606015;上海市浦江人才计划05PJ14068

在线出版日期：2008-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-39